隨著現代微電子技術的創新,電子設備向著微型化、集成化、高效率和高可靠性等方向發展,電子系統的集成度越來越高,功率密度越來越大,對封裝材料的要求也越來越高。高溫電爐升降式箱式電動加熱爐功率微電子封裝除承擔熱耗散外,還必須具有與芯片的材質(Si、GaAs)相匹配的線脹系數以及強度高、結構質量輕、工藝性好、成本低等特點。
高溫電爐升降式箱式電動加熱爐陶瓷基板由陶瓷基片和布線金屬層兩部分組成,金屬布線是通過在陶瓷基片上濺射、蒸發沉積或印刷各種金屬材料來制備薄膜和厚膜電路。常用的陶瓷基片材料有氧化鋁、氮化鋁、氮化硅、氧化鈹等等,制備陶瓷基板的方法有很多種,根據封裝結構和應用要求,陶瓷基板可分為平面陶瓷基板和多層陶瓷基板兩大類,按照工藝分為DPC、DBC、AMB、TPC、TFC、LTCC、HTCC等。
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